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激光切割機半導體激光器通過一定的激勵方式，在半導體物質的能帶（導帶與價帶）之間，或者半導體物質的能帶與雜質（受主或施主）能級之間，實現非平衡載流子的粒子數反轉，當處于粒子數反轉狀態的大量電子與空穴復合時便產生受激發射作用。
    半導體激光器的激勵方式主要有三種：
1、電注入式
電注入式半導體激光器一般是由GaAS（砷化鎵）、InAS（砷化銦）、Insb（銻化銦）等材料制成的半導體面結型二極管，沿正向偏壓注入電流進行激勵，在結平面區域產生受激發射。
2、電子束激勵式;
電子束激勵式半導體激光器一般用N型或者P型半導體單晶（PbS、CdS、ZhO等）作為工作物質，通過由外部注入高能電子束進行激勵。
3、光泵浦激勵式;
光泵浦激勵式半導體激光器一般用N型或P型半導體單晶（GaAS、InAs、InSb等）作為工作物質，以其它激光器發出的激光作光泵激勵。
　　目前在半導體激光器件中，性能較好、應用較廣的是：具有雙異質結構的電注入式GaAs二極管半導體激光器。

    在泵浦固體激光器等應用的推動下，高功率半導體激光器取得了突破性進展，其標志是半導體激光器的輸出功率顯著增加，國外千瓦級的高功率半導體激光器已經商品化，國內樣品器件輸出已達到600W。未來，半導體激光器的發展趨勢主要在高速寬激光器、大功率激光器、短波長激光器、中紅外激光器等方面。